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マグネシウムのアルミン酸塩MgAl2O4スピネル単結晶の基質の単一の側面は磨いた

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中国 ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. 認証
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マグネシウムのアルミン酸塩MgAl2O4スピネル単結晶の基質の単一の側面は磨いた

マグネシウムのアルミン酸塩MgAl2O4スピネル単結晶の基質の単一の側面は磨いた
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大画像 :  マグネシウムのアルミン酸塩MgAl2O4スピネル単結晶の基質の単一の側面は磨いた

商品の詳細:
起源の場所: 中国
ブランド名: Crystro
証明: SGS
モデル番号: CRMGAL-2
お支払配送条件:
最小注文数量: 1部分
価格: Negotiable
パッケージの詳細: 透明できれいな箱
受渡し時間: 3-4週
支払条件: T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力: 1週あたりの100 PC
詳細製品概要
名前: MgAl2O4 密度: 3.60 g/cm3
硬度: 8.0 Mohs 融点: 2130 ℃
格子変数: = 8.083 Å 荒さ: Ra<5A (0.5nm)
Tickness: 0.5か1mmまたは他 ポーランド語: 単一の側面か二重側面
オリエンテーション: [100]または[100]または[111]
ハイライト:

MgAl2O4スピネル単結晶の基質

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マグネシウムのアルミン酸塩単結晶の基質

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マグネシウムのアルミン酸塩mgal2o4スピネル


 

マグネシウムのアルミン酸塩MgAl2O4スピネル単結晶の基質

 

1.MgAl2O4基質の紹介

マグネシウムのアルミン酸塩スピネル(MgAl2O4)は立方構造およびそれが付いている混合された酸化物して考慮される優秀な基質材料とである。

MgAl2O4(スピネル)の単結晶は音波およびマイクロウェーブ装置および速いICのエピタキシアル基質で広く利用されている。同時に、研究はそれがIII-Vの窒化物装置のためのよい基質であることが分った。

 

 

2.MgAl2O4材料特性

化学式

MgAl2O4
結晶構造 、= 8.083 Å立方
成長方法 Czochralski
比誘電率 9.65
伝播の損失 6.5 dB/ms
R.i. 1.71
伝送範囲 0.21~5.3のµm
熱拡張係数 7.45 × 10^-6/K

 

MgAl2O4の3.Applications

  • GaNのフィルム成長のための基質材料
  • マイクロウェーブ装置
  • 速いICのエピタキシアル基質
  • バルク音波装置
     

4. MgAl2O4の特徴

  • 安定した光学、誘電性の、および化学特性。
  • 優秀で物理的な性能
  • 均一理論的な伝達(アプローチ0.3から5ミクロンの間の87%)

 

マグネシウムのアルミン酸塩MgAl2O4スピネル単結晶の基質の単一の側面は磨いた 0

 

 

 

連絡先の詳細
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

コンタクトパーソン: Zheng

電話番号: +86 18255496761

ファックス: 86-551-63840588

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