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10*10*1mmの最後の基質の薄膜の光学単結晶の基質

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中国 ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. 認証
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10*10*1mmの最後の基質の薄膜の光学単結晶の基質

10*10*1mmの最後の基質の薄膜の光学単結晶の基質
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大画像 :  10*10*1mmの最後の基質の薄膜の光学単結晶の基質

商品の詳細:
起源の場所: 中国
ブランド名: Crystro
証明: SGS
モデル番号: CRLSAT-3
お支払配送条件:
最小注文数量: 1部分
価格: Negotiable
パッケージの詳細: 透明できれいな箱
受渡し時間: 3-4週
支払条件: T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力: 1週あたりの100 PC
詳細製品概要
製品名: 最後の基質 サイズ: 10*10*1mm
ポーランド語: sspかdsp 成長方法: Czochralski
密度: 6.74 g/cm3 硬度: 6.5 Mohs
融点: 1840の℃ 格子変数: a= 3.868A
誘電率: ε = 22
ハイライト:

10*10*1mmの単結晶の基質

,

薄膜の光学基質

,

10*10*1mmの最後の基質

エピタキシアル酸化物の薄膜のための10*10*1mmの最後(ランタンのストロンチウム アルミニウム タンタルの酸化物)の基質

 

導入:

最後の水晶はCzochralski方法によって育ち、基質として薄膜のエピタキシアル成長のためにferroelectricおよび高温超伝導体装置で普通使用される。磁気ferro電子および超伝導性装置のエピタキシアル酸化物の薄膜のために使用されるランタンのアルミン酸塩(LaAlO3)およびストロンチウムのチタン酸塩(SrTiO3)の基質を取り替えることを期待する。

 


 

技術的な変数:

 

結晶構造 立方 ポーランド語 単一の側面/二重側面
密度 6.74 g/cm3 オリエンテーション  <100><110><111>
硬度 6.5 Mohs 次元 10*10*0.5 mm、20*20*0.5 mm
格子変数 a= 3.868A   10*10*1 mm、20*20*1mm
融点 1840の RA: ≤5Å (5µm×5µm)
再方向付け端 2° (1°のスペシャル) カスタマイズされる 特別なサイズおよびオリエンテーションは要求のために利用できる

 

プロダクト細部:

10*10*1mmの最後の基質の薄膜の光学単結晶の基質 0

連絡先の詳細
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

コンタクトパーソン: Chen Dongdong

電話番号: +86 18326013523

ファックス: 86-551-63840588

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