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レーザー システムPockels細胞電子視覚EO Qのスイッチ

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中国 ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. 認証
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レーザー システムPockels細胞電子視覚EO Qのスイッチ

レーザー システムPockels細胞電子視覚EO Qのスイッチ
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大画像 :  レーザー システムPockels細胞電子視覚EO Qのスイッチ

商品の詳細:
起源の場所: 中国
ブランド名: Crystro
証明: SGS
モデル番号: CRQSW-9
お支払配送条件:
最小注文数量: 1
価格: Negotiable
パッケージの詳細: 透明できれいな箱
受渡し時間: 3-4週
支払条件: T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram、PayPal
供給の能力: 1週あたりの100 PC
詳細製品概要
製品名: LGS EOQスイッチ 水晶材料: Langasite
密度: 5.75 g/cm3 融点: 1470の°C
R.i.: 1.89 潮解: いいえ
抵抗: 1.7×1010 Ω·cm 構造: Trigonal;a=b=7.453Å、c=6.293Å
ハイライト:

電子視覚EO Qスイッチ

,

Pockelsの細胞EO Qスイッチ

,

Pockelの細胞Qスイッチ


 

 

 

 

高い損傷閾値レーザー システムのための電気光学(EO) QスイッチPockelsの細胞

 

 

 

 

LGSの水晶に広い応用範囲がある:圧電効果および旋光の効果に加えて、電気光学効果の性能はまた非常に優秀である。高い繰返し率、大きい横断面の明確な開き、狭い脈拍幅、高い発電、高低の温度、等LGS水晶電気光学Qのスイッチは適当である。私達はQスイッチを作り、Qスイッチの半波電圧を減らすためにより大きいアスペクト レシオを選ぶのにLGSの水晶の電気光学係数γ11を使用する。それは高い発電の繰返し率の全固体州のレーザーの電気光学Q切換えに適用することができる。

 

 

特徴:

  • LGSのベースのQスイッチ(Pockelsの細胞);
  • 波長3.2μmまでのため;
  • 送信された波頭のゆがみ: < l="">
  • 損傷閾値:>900MW/cm2 (@1064nm、10ns、典型的な、保証されない);
  • DKDPおよびLiNbOの中型のパワー系統のために、部分的に起こるため利用できるLGS3つのシリーズQスイッチ。

 

主要な特性:

 

化学式 La3Ga5SiQ14
結晶構造 Trigonal;a=b=7.453Å、c=6.293Å
密度 5.75 g/cm3
融点 1470の°C
透明物の範囲 242 - 3200 nm
R.i. 1.89
電気光学係数 γ41=1.8 pm/V、γ11=2.3 pm/V
抵抗 1.7×1010 Ω·cm
潮解 いいえ
熱拡張係数 α11=5.15×10-6 /K (⊥Z軸線);α33=3.65×10-6 /K (∥Z軸線)

 

 

プロダクト細部:

レーザー システムPockels細胞電子視覚EO Qのスイッチ 0

連絡先の詳細
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

コンタクトパーソン: Zheng

電話番号: +86 18255496761

ファックス: 86-551-63840588

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