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La3Ga5SiQ14 5.75 g/cm3 LGS水晶EO Qのスイッチ

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中国 ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. 認証
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La3Ga5SiQ14 5.75 g/cm3 LGS水晶EO Qのスイッチ

La3Ga5SiQ14 5.75 g/cm3 LGS水晶EO Qのスイッチ
La3Ga5SiQ14 5.75 g/cm3 LGS水晶EO Qのスイッチ La3Ga5SiQ14 5.75 g/cm3 LGS水晶EO Qのスイッチ La3Ga5SiQ14 5.75 g/cm3 LGS水晶EO Qのスイッチ

大画像 :  La3Ga5SiQ14 5.75 g/cm3 LGS水晶EO Qのスイッチ

商品の詳細:
起源の場所: 中国
ブランド名: Crystro
証明: SGS
モデル番号: CRQSW-8
お支払配送条件:
最小注文数量: 1
価格: Negotiable
パッケージの詳細: カートン箱
受渡し時間: 3-4週
支払条件: T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram、PayPal
供給の能力: 1週あたりの100 PC
詳細製品概要
名前: LGS Qスイッチ 化学式: La3Ga5SiQ14
密度: 5.75g/cm3 融点: 1470の°C
潮解: いいえ R.i.: 1.89
抵抗: 1.7×1010 Ω·cm 結晶構造: Trigonal;a=b=7.453Å、c=6.293Å
透明物の範囲: 242-3200nm 電気光学係数: γ41=1.8 pm/V、γ11=2.3 pm/V
ハイライト:

LGS水晶EO Qのスイッチ

,

5.75 g/cm3 LGS EO Qスイッチ

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La3Ga5SiQ14 LGS Qスイッチ


 

 

容易な調節の損傷閾値:>900MW/cm2 LGS水晶シリーズEO Qスイッチ

 

LGS (LG-EO-Q)シリーズQスイッチ(Pockelsの細胞)は部分的にDKDPおよびLiNbOの場所を取るのに中型の出力エネルギー レーザーで3つのシリーズQスイッチ使用することができる実用的な電気光学装置である。LGS電気光学Qスイッチは水晶のZの方向に沿うライトを渡し、LGSの水晶のQスイッチ機能を実現する水晶の側面電気光学効果をフルに活用できるXの方向に沿う電界を加える。

 

 

特徴:

  • 波長3.2μmまでのため;
  • 送信された波頭のゆがみ: < l="">
  • 損傷閾値:>900MW/cm2 (@1064nm、10ns);
  • DKDPおよびLiNbOの中型のパワー系統のために、部分的に起こるため利用できるLGS3つのシリーズQスイッチ。

 

主要な特性:

 

化学式 La3Ga5SiQ14
結晶構造 Trigonal;a=b=7.453Å、c=6.293Å
密度 5.75 g/cm3
融点 1470の°C
透明物の範囲 242 - 3200 nm
R.i. 1.89
電気光学係数 γ41=1.8 pm/V、γ11=2.3 pm/V
抵抗 1.7×1010 Ω·cm
潮解 いいえ
熱拡張係数 α11=5.15×10-6 /K (⊥Z軸線);α33=3.65×10-6 /K (∥Z軸線)

 

プロダクト細部:

La3Ga5SiQ14 5.75 g/cm3 LGS水晶EO Qのスイッチ 0

 

連絡先の詳細
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

コンタクトパーソン: Chen Dongdong

電話番号: +86 18326013523

ファックス: 86-551-63840588

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